顾书林

微电子与光电子学系 博导

个人简历

学历
1993年9月  1995年7月
 金沙威尼斯欢乐娱人城物理系   理学博士
1983年9月  1990年7月
 金沙威尼斯欢乐娱人城   物理系微电子与固体电子学专业   学士与硕士

 主要科研经历
2001年4月  至今  金沙威尼斯欢乐娱人城物理系,教授   
2002年4月  至今  金沙威尼斯欢乐娱人城物理系,博导
1996年4月  2001年3月  金沙威尼斯欢乐娱人城物理系,副教授
1998年7月-2000年5月 美国威斯康辛大学麦迪森分校 访问学者
1992年8月-1996年7月金沙威尼斯欢乐娱人城物理系,讲师
1990年8月  1992年7月金沙威尼斯欢乐娱人城物理系,助教

研究方向

宽禁带半导体(氧化锌、氮化镓)薄膜材料的外延生长、表征及器件应用

主要课程

半导体器件物理

代表成果
  • J.D. Ye,  S.L. Gu, S. M. Zhu, S. M. Liu, Y. D. Zheng, R. Zhang,Y. Shi. Fermi-level band filling and band-gap renormalization in ga-doped zno. Applied Physics Letters 2005:86(19) 192111.

  • W. Liu, S. L. Gu, J.D. Ye, S. M. Zhu, S. M. Liu, X. Zhou, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, Blue-yellow ZnO homostructural light-emitting diode realized by metalorganic chemical vapor deposition technique,  Applied Physics Letters 88, 092101 (2006)

  • J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, W. Liu, S. M. Liu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. D. Zheng,  Electroluminescent and transport mechanisms of n-ZnO/p-Si heterojunctions, Applied Physics Letters 88, 182112 (2006)

  • K. Tang, S. L. Gu, S. M. Zhu, J. G. Liu, H. Chtn, J. D. Ye, R. Zhang, Y. D. Zheng, Suppression of compensation from nitrogen and carbon related defects for p-type N-doped ZnO, APPLIED PHYSICS LETTERS, 95,192106,2009
     

  • K. Tang, S. L. Gu, K. P. Wu, S. M. Zhu, J. D. Ye, R. Zhang, Y. D. Zheng, Tellurium assisted realization of p-type N-doped ZnO, APPLIED PHYSICS LETTERS, 96, 242101, 2010


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