金沙威尼斯欢乐娱人城教授，博导。2002年获金沙威尼斯欢乐娱人城物理系凝聚态物理专业博士学位，并留校任教。主要从事低维硅基半导体器件在闪存芯片、类脑芯片、和三维神经网络构建中的应用。首次研发出国内第一块具有NOR功能演示的纳米硅浮栅存储器芯片，工作特性与稳定性达到国际领先水平。基于硅基阻变存储器和浮栅存储器研发出3D神经形态器件和具有可视性功能3D神经突触网络。主持国家科技部 “973”项目、国家自然科学基金重点和面上项目、教育部博士点基金（博导类），“六大人才高峰项目”，江苏省自然科学基金创新人才项目和面上项目十余项。曾到法国高工，德国慕尼黑理工大学，瑞典皇家理工学院和德国汉堡大学进行访问和学习。

国际合作研究团队

德国汉堡大学固体物理和纳米结构研究所长和杂化纳米结构中心主任
Robert H.Blick 教授小组
网址：www.nanomachines.com & www.chyn.de

（1）硅基半导体低维材料的可控生长和光电特性研究；

（2）硅基神经形态器件的构建和性能优化；

（3）类脑芯片的核心硬件开发和功能拓展；

（1）半导体光电子技术

（2）太阳能电池原理与应用

（3）大学物理

(1) Artificial synapse arrays based on SiO_x/TiO_x memristive crossbar with high uniformity for neuromorphic computing, Kangming Leng; Xinyue Yu; Zhongyuan Ma*; Wei Li; Jun Xu; Ling Xu; Kun-Ji Chen, Applied Physics Letters, 2022, 120: 043101

(2) Artificial neurons and synapse based on Al/a-SiN_xO_y:H/P⁺-Si device with tunable resistive switching from threshold to memory, Kangmin Leng; Xu Zhu; Zhongyuan Ma*; Xinyue Yu; Jun Xu; Ling Xu; Wei Li; Kunji Chen Nanomaterials, 2022, 12: 311

(3) Artificial synapse consisted of TiSbTe/a-SiC_0.11:H memristor with ultra-high uniformity for neuromorphic computing, Liangliang Chen; Zhongyuan Ma; *, Kangmin Leng; Tong Chen; Hongsheng Hu; Yang Yang; Wei Li; Jun Xu; Ling Xu and Kunji ChenNanomaterials, 2022, 12: 2110

(4) 3D NAND flash memory based on double-Layer NC-Si floating gate with high density of multilevel storage, Xinyue Yu; Zhongyuan Ma;* Zixiao Shen; Wei Li; Kunji Chen; Jun Xu and Ling Xu, Nanomaterials, 2022, 12: 2459

(5) a-SiN_x:H-based ultra-low power resistive random access memory with tunable Si dangling bond conduction paths, Jiang,XF; Ma,ZY*; Xu,J; Chen, KJ; Xu,L; Li,W; Huang,XF; Feng,D, Scientific Reports, 2015, 5: 15762

(6) Nanocrystalline Si pathway induced unipolar resistive switching behavior from annealed Si-rich SiNx/SiNy multilayers, Jiang,XF; Ma,ZY*; Yang,HF; Yu,J; Wang,W; Zhang, WP; Li,W; Xu,J; Xu,L; Chen, KJ, Journal of Applied Physics, 2014, 116: 123705